3.1 一般规定

表3.1.1  生产环境需求表

3.1.2  生产过程所使用纯水的电阻率应符合下列规定：

    1  用于硅片清洗的纯水电阻率不宜低于15MΩ·cm；

    2  用于硅片划片的纯水电阻率宜在0.5MΩ·cm～1MΩ·cm范围内；

    3  用于电镀工艺的纯水电阻率不宜低于2MΩ·cm。

3.1.3  生产过程所使用气体的品质应符合下列规定：

    1  用于通孔、凸块工序的气体纯度不宜低于99.9999％、露点不宜低于—60℃；

    2  用于中测、磨片、划片、粘片、焊线、塑封等工序的气体纯度宜在99.99％～99.9999％范围内、露点宜在—40℃～—60℃范围内。